16:15 〜 16:30 [20p-S011-10] SiC表面上のSi熱脱離グラフェン成長機構に関する第一原理分子動力学シミュレーション – 炭素鎖から二次元的構造の形成過程 〇小野 裕己1,4、山崎 隆浩2,4、奈良 純2,4、大野 隆央2,3,4 (1.高度情報、2.物材機構、3.東大生研、4.高効率電デバ)