11:30 〜 11:45 [21a-H121-11] 310nm帯紫外LED用Ga2O3(-201)基板上AlGaN (0001)エピタキシャル膜の成長 〇森島 嘉克1、平山 秀樹2、飯塚 和幸1、山崎 進一1、西村 良男1、山腰 茂伸1 (1.タムラ製作所、2.理研)