13:30 〜 15:30 [21p-P10-12] 熱処理による4H-SiC/Si HBTの電気特性の改善 〇(M1)清水 彩絵1、梁 剣波1、新井 学2、重川 直輝1 (1.大阪市大工、2.新日本無線(株))