16:00 〜 18:00 [21p-P17-7] フラッシュランプアニール(FLA)による高電子濃度かつ高電子移動度のn+poly-Ge形成 〇小池 正浩1,2、臼田 宏治1,2、鎌田 善己1,2、森 貴洋2,3、前田 辰郎2,3、手塚 勉1,2 (1.東芝研開セ、2.産総研GNC、3.産総研)