15:00 〜 15:15 △ [21p-W521-6] ラミネーションコンタクト電極を用いたa-(BEDT-TTF)2I3微細結晶によるFETの作製 〇後藤 大河1、多田 裕作2、酒井 正俊2、岡田 悠悟2,3、山内 博1、工藤 一浩2 (1.千葉大工、2.千葉大院工、3.千葉大先進科学センター)