Lee Hojun

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発表者・著者、共著者

2016年3月22日(火) 08:45 〜 11:45 H121 (本館)

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.4 III-V族窒化物結晶

[22a-H121-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

11:00 〜 11:15

▲ [22a-H121-9] Growth and characterization of inversion domain reduced semipolar (10\overline{1}3) GaN grown on Si (001) substrate

〇Lee Hojun¹、Bae Siyoung¹、Lekhal Kaddour¹、Tamura Akira¹、Deki Manato²、Honda Yoshio²、Amano Hiroshi^2,3 (1.Nagoya Univ.、2.CIRFE、3.ARC)