10:45 〜 11:00 [22a-W541-7] Al2O3あるいはAlTiOゲート絶縁膜を用いたInAlN-GaN金属/絶縁体/半導体構造における絶縁体/半導体界面固定電荷 〇山口 槙也1、宇井 利昌1、長谷川 貴大1 (1.北陸先端大)