Wong ManHoi

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発表者・著者、共著者

2016年3月22日(火) 13:00 〜 15:00 W541 (西5号館)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[22p-W541-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

14:45 〜 15:00

▲ [22p-W541-8] Field-Plated Ga₂O₃ MOSFETs With a Breakdown Voltage of Over 750 V

〇Wong ManHoi¹、Sasaki Kohei^2,1、Kuramata Akito²、Yamakoshi Shigenobu²、Higashiwaki Masataka¹ (1.NICT、2.Tamura Corp.)