一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
09:15 〜 09:30
〇佐藤 駿太1、市村 正也1 (1.名工大)
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09:30 〜 09:45
〇高田 直也、安部 功二1、長沼 健斗1 (1.名工大)
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09:45 〜 10:00
〇角田 直輝1、小松 啓志2、菊田 剛史2、齋藤 秀俊2 (1.米子高専、2.長岡技科大)
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10:00 〜 10:15
〇(M1)野口 和馬1、廣森 湧太郎1、宮武 真嗣1、奈良 安雄1 (1.兵庫県立大)
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10:15 〜 10:30
〇大友 圭輔1、佐藤 洋平1、上野 和紀1 (1.東大院総合)
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10:30 〜 10:45
〇疋田 育之1、西尾 和記2、Linsey Seitz2、Pongkarn Chakthranont2、立川 卓2,3、Thomas Jaramillo1,2、Harold Hwang1,2 (1.SLAC、2.スタンフォード大、3.東大新領域)
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10:45 〜 11:00
〇簑原 誠人1、北村 未歩1、和達 大樹2、組頭 広志1 (1.高エネ研、2.東大物性研)
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11:00 〜 11:15
〇正能 大起1、高橋 竜太1、小沼 碧海2、丸山 伸伍2、松本 祐司2、Jahangir Solmaz3、Nagarajan Valanoor3、Lippmaa Mikk1 (1.東大物性研、2.東北大院工、3.UNSW)
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11:15 〜 11:30
〇山原 弘靖1、村田 哲也1、那須 英和1、関 宗俊1、田畑 仁1 (1.東大院工)
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11:30 〜 11:45
〇村田 哲也1、那須 英和1、山原 弘靖1、関 宗俊1、田畑 仁1 (1.東大院工)
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