[19a-H121-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

[19a-H121-1] Influence of substrate and cooling rate on dislocation density for GaN single crystal

〇Satoshi Nakano¹, Bing Gao¹, Koichi Kakimoto¹ (1.RIAM, Kyushu Univ.)

Keywords:GaN,dislocation

窒化ガリウム(GaN)は、ワイドバンドギャップ半導体として現在注目されている材料の1つである。しかし、結晶の更なる高品質化には、転位密度の低減が重要である。本研究では、熱応力による転位の増殖に着目し、当研究室で開発した数値計算コードを用いて、異なる基板および冷却速度を用いた場合における、GaN単結晶中の転位密度分布の数値解析を行い、比較・検討を行った。