[19a-H121-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

[19a-H121-7] [Young Scientist Presentation Award Speech] Characterization of crystalline structure in nitride semiconductors by three-dimensional reciprocal space mapping using X-ray microdiffraction

〇Shohei Kamada¹, Shotaro Takeuchi¹, Khan Dinh Thanh¹, Hideto Miyake², Kazumasa Hiramatsu², Yasuhiko Imai³, Shigeru Kimura³, Akira Sakai¹ (1.Osaka Univ., 2.Mie Univ., 3.JASRI/ SPring-8.)

Keywords:Three dimensional reciprocal space map,Nitride semiconductor,X-ray microdiffraction

これまで我々は、X線マイクロ回折法により、周期溝加工基板上の窒化物半導体厚膜に対して、周期溝やナノボイド等の特異構造が誘発する局所領域の歪や格子面傾斜・回転等の3次元的結晶構造解析を行ってきた。今回、一方向からのX線入射で取得したCCDカメラの画像データ群から、3次元のRSMの描画を可能とするデータ解析プログラムを開発した。本報告では、窒化物半導体結晶に対する3次元RSM解析による格子面傾斜・回転を定量的に評価し、3次元RSM解析の特徴とその利点を議論する。