[19a-H121-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

[19a-H121-8] Microscopic crystalline structure of a thick AlN film grown on a trench-patterned SiC template by three dimensional reciprocal space mapping

〇Shohei Kamada¹, Shotaro Takeuchi¹, Khan Dinh Thanh¹, Hideto Miyake², Kazumasa Hiramatsu², Yasuhiko Imai³, Shigeru Kimura³, Akira Sakai¹ (1.Osaka Univ., 2.Mie Univ., 3.JASRI/ SPring-8.)

Keywords:Three dimensional reciprocal space map,Nitride semiconductor,X-ray microdiffraction

我々は、X 線マイクロ回折法を用いた3次元逆格子空間マップ解析により、周期溝加工基板上の窒化物半導体厚膜に対して、周期溝やナノボイド等の特異構造が誘発する局所領域の歪や格子面傾斜・回転等の定量的評価手法を確立してきた。今回、我々は3次元逆格子空間マップ解析によるSiC基板上におけるAlNの格子面傾斜・回転評価を行った。本報告では、特異構造の結晶格子形態に及ぼす効果および下地基板構造の影響を議論する。