[19a-P4-1~31] 12.4 有機EL・トランジスタ

[19a-P4-7] コロイダルナノドット単粒子膜をフローティングゲート層に用いた有機メモリトランジスタ

〇中野 史掘¹、阪川 秀紀¹、宇野 和行¹、田中 一郎¹ (1.和歌山大システム工)

キーワード：コロイダルナノドット、有機半導体、メモリトランジスタ

われわれは半導体コロイダルナノドット(ND)の単粒子膜をフローティングゲートに用いた有機メモリトランジスタ(OMT)を検討している。これまでこのOMTには300秒程度の書き込み時間を要するという問題があった。これはNDの有機配位子が電子のトンネル確率を低下させていることが原因であると考えられる。本研究では、NDの有機配位子を除去し、OMTの記録特性にどのような変化が生じるかを検討した。