[19a-S223-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [19a-S223-11] サブ10nmチャネル長SiナノワイヤMOSFETの量子輸送シミュレーション

〇平井 佑昂¹、土屋 英昭¹、小川 真人¹ (1.神戸大工)

キーワード：ナノワイヤ、ウィグナーモンテカルロ、量子輸送