[19a-S223-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[19a-S223-3] 次世代TCAD(3) 3次元デバイスシミュレータを用いた並列計算

〇桑原 匠史¹、大倉 康幸¹、山口 憲¹、小池 秀耀¹ (1.アドバンスソフト)

キーワード：半導体、３次元、デバイスシミュレータ

我々は開発中の３次元プロセス－デバイスシミュレータAdvance/T-CADの並列化を行い、その効率等の測定を行った。図１に３次元デバイスシミュレータによって作成したnMOS構造とドーピングプロファイルを示している。図２は、このモデルをメッシュ数5584464で計算した場合の並列化効率を示し、値が小さい程並列化効率が高いことを示している。１６コア辺りで効率が落ちる時があるが、その他では１２８コアまでコア数に比例して計算時間の短縮に成功した結果を得た。