[19a-S223-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [19a-S223-9] 横型Tunnel FET の閾値状態の定義についての考察

〇森 義暁¹、佐藤 伸吾¹、大村 泰久¹ (1.関西大)

キーワード：トンネルFET、閾値電圧、普遍的な定義

本報告では、デバイスシミュレータを用いて横型 TFET の閾値状態の定義を検討した結果を述べる。閾値状態を規格化相互コンダクタンス値が最大値をとるゲート電圧として定義できることを見出した。閾値状態では、ソース接合面全域にわたって、所定のトンネルキャリアが存在していることが示された。また、この定義が、実際に想定されるデバイスパラメータの範囲で適用できることも示すことができた。