2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

16 非晶質・微結晶 » 16.3 シリコン系太陽電池

[19a-W321-1~12] 16.3 シリコン系太陽電池

2016年3月19日(土) 09:00 〜 12:15 W321 (西2・3号館)

小出 直城(シャープ)

10:00 〜 10:15

[19a-W321-5] 多結晶Si太陽電池モジュールのKイオンによるPID劣化メカニズム解明に向けた光過渡吸収法の検討

野口 一輝1、Islam Mohammad1、石河 泰明1、仲濱 秀斉2、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.日清紡)

キーワード:太陽電池、PID、信頼性

急激な出力低下を引き起こすPID現象の対策として,NaをKにイオン交換した化学強化ガラスを用いることが報告されている.しかしKイオンが劣化に与える影響については不明である.また,PID現象を引き起こした多結晶Si太陽電池モジュールでは電極が腐食し電流注入による半導体部分の劣化についての評価が難しい.そこで,本研究では電流注入を用いない過渡吸収法によってKイオンの影響による劣化について評価した.