[19a-W810-1~10] 2.2 Detection systems

[19a-W810-2] Larger Active Area Gated Silicon Drift Detector Using Thick Si Wafer

〇Shohei Ishikawa¹, Shinya Hukushima¹, Shungo Sakurai¹, Yuya Oda¹, Akinobu Takeshita¹, Atsuki Hidaka¹, Hideharu Matsuura¹ (1.OECU)

Keywords:semiconductor,GSDD,X-ray detector

当研究室ではSDDとは構造の異なるGated Silicon Drift Detector (GSDD) を提案している。前回の発表では蛍光X線の吸収率を高める為に 2.5 mm の厚膜化を行ったが、素子の有効面積が受光面積の50％以下になることが分かった。そこで、今回は有効面積を拡大する方法を検討した。
GSDDの新構造を提案し、シミュレーションを行った結果良好な電位勾配が得られた。