[19a-W810-1~10] 2.2 Detection systems

[19a-W810-1] Thicker and Larger Effective Area of Gated Silicon Drift Detector Using a Low-Resistivity Wafer

〇Akinobu Takeshita¹, Shungo Sakurai¹, Yuya Oda¹, Shinya Fukushima¹, Shohei Ishikawa¹, Atsuki Hidaka¹, Hideharu Matsuura¹ (1.OECU)

Keywords:low-cost X-ray detector

本研究室では現在市販されているSillicon Drift Detector(SDD)よりも構造を簡素化し、より安価で製造できるGated Silicon Drift Detector (GSDD)を提案している。市販されているSDDと使用条件（膜厚0.5 mm、印加電圧-150 V、抵抗率2 kΩ･cm）と一致させ、 Si Ｘ線検出素子GSDDのシミュレーションに成功している。しかしそのシミュレーションに用いたSi基板の膜厚0.5 mmではCdの蛍光Ｘ線（23.1 keV）のような高エネルギーに対して吸収率が低いという課題が挙げられる。高エネルギー蛍光X線の吸収率を高めるために、GSDDの厚膜化の可能性をデバイスシミュレーションを用いて調べた。