[19p-H103-1~21] 6.2 Carbon-based thin films

△ [19p-H103-13] Normally-off C-H Diamond MOSFETs with high breakdown voltage and high current density

〇(B)Takuya Kudo¹, Yuya Kitabayashi¹, Tetsuya Yamada¹, Xu Dechen¹, Toshiki Saito¹, Daisuke Matsumura¹, Yuya Hayashi¹, Yuji Seshimo¹, Atsushi Hiraiwa¹, Hiroshi Kawarada¹ (1.Waseda Univ.)

Keywords:Diamond,FET,semiconductor

我々は高温ALD-Al₂O₃によって誘起される2DHGをチャネル及びドリフト領域としたC-HダイヤモンドMOSFETを作製し, 673~10Kにわたる高温・低温での安定した動作特性及び耐圧特性を報告してきた。今回ゲート直下部分のC-Oチャネル化により、しきい値電圧V_thの制御かつ高耐圧・高電流密度を有するノーマリオフC-HダイヤモンドMOSFETが実現したので報告する。