[19p-H103-1~21] 6.2 Carbon-based thin films

△ [19p-H103-14] Current characteristics changes after High-Voltage apply of C-H Bondeds Polycrystalline-Diamond MOSFETs

〇(M1)Junxiong Niu¹, Dechen Xu¹, Tetsuya Yamada¹, Yuya Kitabayashi¹, Toshiki Saito¹, Shibata Masanobu¹, Daisuke Matsumura¹, Takuya Kudo¹, Masafumi Inaba¹, Atsushi Hiraiwa¹, Hiroshi Kawarada¹ (1.Waseda Univ.)

Keywords:diamond,semiconductor

我々はこれまでにダイヤモンド表面を水素終端化することで誘起される2DHGをチャネルおよびドリフト層として用いた電界効果トランジスタを作製し、673～10 Kにわたる高温・低温動作特性及び高い耐圧特性を報告してきた。今回透明なアンドープ多結晶ダイヤモンド基板上にMOSFETを作製し、オフ状態での絶縁破壊電圧測定とオン状態のI_DS-V_DS特性の繰り返し測定を10回以上行い、オフ状態の耐圧とオン状態のドレイン電流変化を調査したので報告する。