[19p-H103-1~21] 6.2 カーボン系薄膜

[19p-H103-17] 強誘電体をゲート絶縁膜としたダイヤモンド表面チャネル型FET構造の作製 (2)

柄谷 涼太¹、古市 浩幹¹、馬場 一気¹、森 陽介¹、中嶋 宇史²、徳田 規夫¹、〇川江 健¹ (1.金沢大、2.東京理科大)

キーワード：ダイヤモンド、VDF-TrFE