[19p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [19p-H111-1] 高周波基板バイアススパッタ法における高エネルギーイオン照射によるVO₂薄膜の
転移特性制御

〇(D)ヌルーハニス ビンティアズハン¹、沖村 邦雄¹、大坪 嘉之²、木村 真一²、ムスタファ ザグリウィ³、坂井 穣³ (1.東海大院理工、2.大阪大、3.トゥール大GREMAN)

キーワード：二酸化バナジウム、バイアススパッタ法、絶縁体金属転移IMT

絶縁体-金属転移（IMT）を生じ応用へ期待されるVO₂は転移温度制御が必要となる．本研究では，反応性スパッタ法における基板バイアス印加法により，高エネルギーイオン照射によってVO₂のIMT特性を維持しながらより厚い膜においても転移温度シフトを可能とした．TEM，XPS分析より面直軸長の伸張と面内軸長の短縮が生じ，同時に酸素欠陥を生じることが分かった．講演では高イオンエネルギー照射による転移特性制御の詳細について報告する．