[19p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [19p-H111-2] 基板上VO2薄膜の転移応力制御によるマイクロクラックの削減と転移の急峻化

〇(M2)大森 康平¹、矢嶋 赳彬¹、西村 知紀¹、鳥海 明¹ (1.東大院工)

キーワード：金属絶縁体酸化物、VO2、マイクロクラック

VO₂は、温度や電子ドープなどによって3-4桁の急峻な抵抗変化を示す金属絶縁体材料である。基板上の単結晶VO₂薄膜では転位欠陥を起点にマイクロクラックが生じ、急峻な転移が得られていない。本研究ではVO₂薄膜のマイクロクラックの生成が弾性エネルギーにも起因していることを明らかにし、VO₂薄膜をワイヤ化して弾性エネルギーを緩和することで、マイクロクラックの生成を防ぎ、バルクの特性に近い急峻な転移を実現した。