[19p-H111-1~22] 6.3 Oxide electronics

[19p-H111-21] Fabrication method dependence of photovoltaic properties on n-type semiconductor layer for Cu₂O based heterojunction solar cells

〇ryousuke uozaki¹, kyousuke watanabe¹, yuki nishi¹, toshihiro miyata¹, tadatsugu minami¹ (1.OEDS R&D Center, K I T)

Keywords:Cu2O

我々は，p形Cu₂O系ヘテロ接合太陽電池において，低ダメージ成膜が可能なパルスレーザー蒸着（PLD）法を用いてn形半導体薄膜層を形成している．しかし，PLD法は成膜速度が低く実用的な形成法とは言い難い．そこで今回は，実用化に適した大面積・高速成膜が可能なマグネトロンスパッタ成膜(MSD)法を利用することを目的として，n形半導体薄膜層の成膜条件と光起電力特性及びp形Cu₂Oシート表面状態との関係を調べたので報告する．