The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

Presentation information

Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.3 Oxide electronics

[19p-H111-1~22] 6.3 Oxide electronics

Sat. Mar 19, 2016 1:15 PM - 7:00 PM H111 (H)

Kazunori Ueno(Univ. of Tokyo), Takashi Tsuchiya(Tokyo Univ. of Sci.)

6:45 PM - 7:00 PM

[19p-H111-22] Fabrication of p-Cu2O based heterojunction solar cells using multicomponent n-type Zn1-XGeX-O thin films

Yuki Nishi1, Jouji Yamazaki1, Toshihiro Miyata1, Tudatsugu Minami1 (1.OEDS R&D Center, K I T)

Keywords:Cu2O

p形Cu2O系ヘテロ接合太陽電池において,n形半導体層としてZn1-XGeX-O多元系酸化物薄膜を用いることにより,変換効率が大幅に改善できることを報告している1).本発表では,AZO/n形Zn1-XGeX-O薄膜/p形Cu2Oシート構造太陽電池において,得られる光起電力特性とZn1-XGeX-O薄膜のGe組成(X)(X;Ge/(Ge+Zn)原子比)及び成膜条件との関係について詳細に検討したので報告する.