[19p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-H111-9] TiO₂/SiO₂界面への電気化学的水素ドープ

〇矢嶋 赳彬¹、西村 知紀¹、鳥海 明¹ (1.東大マテ)

キーワード：水素、TiO2界面、イオン注入

イオン注入の代わりに電気化学的な手法を用いることで、室温で簡便に酸化物半導体にキャリアをドープすることを目的として研究を行っている。典型的な酸化物半導体であるアナターゼTiO₂を例として、結晶構造を変えることなく電気化学的に電子ドープできることを実証した。さらにドーパントの水素は1.2eVのエネルギー障壁でTiO₂/SiO₂界面に安定に閉じ込められていることを明らかにした。