矢嶋赳彬

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発表者・著者、共著者

2016年3月19日(土) 13:15 〜 19:00 H111 (本館)

一般セッション(口頭講演)
| 6 薄膜・表面
| 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

15:15 〜 15:30

[19p-H111-9] TiO₂/SiO₂界面への電気化学的水素ドープ

〇矢嶋赳彬¹、西村知紀¹、鳥海明¹ (1.東大マテ)

2016年3月20日(日) 13:45 〜 18:30 S422 (南4号館)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.5 デバイス／集積化技術

[20p-S422-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

14:45 〜 15:00

[20p-S422-5] VO₂モットトランジスタのチャネルに形成される特異な界面相

〇矢嶋赳彬¹、西村知紀¹、鳥海明¹ (1.東大マテ)