[20p-S422-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[20p-S422-5] VO₂モットトランジスタのチャネルに形成される特異な界面相

〇矢嶋 赳彬¹、西村 知紀¹、鳥海 明¹ (1.東大マテ)

キーワード：モットトランジスタ、VO2、金属絶縁体転移

モットトランジスタは、電界効果トランジスタのチャネルに金属絶縁体転移材料を用いることで、低消費電力のスイッチングを可能にするトランジスタである。本研究では、VO₂モットトランジスタの温度依存性を詳細に調べることで、界面近傍のVO₂がチャネル全体のVO₂とは独立した界面相を形成し、モットトランジスタの特性に影響していることを明らかにした。