[19p-H121-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [19p-H121-14] 異方性ウェットエッチングによるGaN多孔質構造の作製と光学特性評価

〇熊崎 祐介¹、松本 悟¹、佐藤 威友¹ (1.北大量集セ)

キーワード：電気化学、ウェットエッチング、光触媒

高効率光電極材料の実現のため、2種類の異方性ウェットエッチングによりGaNに対し多孔質構造を形成した。まず、電気化学エッチングの適用により、[000-1] 方向に直線的に配列した多孔質構造の形成に成功した。次に、GaNのエッチングにおいて優れた異方性を有することが知られているTMAHを用いることで、{1-100} 面が露出した多孔質構造を得た。反射率測定から、多孔質構造では見かけ上、バルクとは異なる屈折率を有していることを明らかにした。