[19p-H121-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-H121-15] カーボンナノチューブ/GaN 界面の電気特性とバンド構造の評価

〇横川 俊哉¹、三宅 祥太¹、山下 輝¹、毛利 裕治¹、中山 雅晴¹ (1.山口大工)

キーワード：窒化物系半導体、カーボンナノチューブ、バンド構造

窒化物系半導体を用いたパワーデバイスや高出力LED の開発が活発に行われている。これらのデバイスの大電流動作では多量の発熱を伴うため、効率的な熱放散が必要とされる。カーボンナノチューブは極めて高い熱伝導率と電気伝導度を持つため、電極や配線材料として期待される。今回、n 型GaN 膜上に直流電着法により形成したカーボンナノチューブ薄膜におけるカーボンナノチューブ/GaN 界面の電気特性とバンド構造について評価を行ったので報告する。