[19p-H121-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-H121-16] バルクGaN表面のナノインデンテーションにおけるr面すべりのHRTEM観察と歪解析

〇横川 俊哉¹、二木 佐知²、前川 順子²、青木 正彦² (1.山口大工、2.イオンテクノセンター)

キーワード：窒化物半導体、ナノインデンテーション、転位

バルクGaNのナノインデンテーションを行い、塑性変形に伴う転位の発生について報告してきた。そして分子動力学シミュレーションの結果から塑性変形の初期の段階においてr面すべりの転位発生が関係することを提案した。また最近我々は、より小さな半径（～100nm）のインデンターを用い、より小さなポップインの荷重を用いることにより、塑性変形初期のr-面すべりの転位発生を実験的に確認した。今回は、r面すべりの転位線付近におけるHRTEMの格子像により詳細な歪解析を行ったので報告する。