[19p-H137-1~17] 7.1 X-ray technologies

[19p-H137-14] Latest Result of Extreme Ultra-Violet (EUV) Light Source for Semiconductor Lithography

〇Yuta Takashima¹, Tsukasa Hori¹, Yoshifumi Ueno¹, Tamotsu Abe¹, Takayuki Yabu¹, Katsuhiko Wakana¹, Yoshiaki Kato¹, Tsutomu Kashiwazaki¹, Osamu Fukuda¹, Takahisa Fujimaki¹, Yuichi Nishimura¹, Rei Takenaka¹, Toru Suzuki¹, Masahiko Andou¹, Hirokazu Hosoda¹, Koutaro Miyashita¹, Takayuki Osanai¹, Takashi Saitou¹, Hakaru Mizoguchi¹ (1.Gigaphoton)

Keywords:EUV source,Semiconductor Lithography

ギガフォトン株式会社では、ターゲットへのレーザ照射により生成されるプラズマからEUV光を得るLPP (Laser Produced Plasma)方式のEUV光源装置の開発を行っている。
今回、実験機においてEUV 出力108W、稼働時間24時間を達成した。
本発表では、上記達成に寄与した装置の開発・技術改良について報告する。