[19p-P1-1~74] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター）

[19p-P1-32] 擬単結晶Fe₄N薄膜における異常ネルンスト効果の結晶方位依存性

〇磯上 慎二¹、水口 将輝²、高梨 弘毅² (1.国立福島高専、2.東北大金研)

キーワード：異常ネルンスト効果、窒化鉄

擬単結晶Fe₄N薄膜100 nmを作製し異常ネルンスト起電力の温度勾配(∇T)方向依存性を測定した．Fe₄N薄膜の磁化容易軸//∇Tの場合と比較して困難軸//∇Tでは，2倍程度高い起電力が観測された．異常ネルンスト係数はそれぞれ+ 0.65 μV/(T·K)，+ 1.3 μV/(T·K)と見積られ，過去に報告されているL1₀-FePtと符号が一致した．このようなFe₄Nにおける異常ネルンスト係数の異方性と符号の解釈は明確ではないが，異常ホール伝導度，スピンダイナミクスの観点から議論を試みる．