[19p-P11-1~14] 12.2 評価・基礎物性

[19p-P11-2] 300 K伝達特性と電流DLTS測定による有機TFTのトラップ評価

大田 貴士¹、赤沼 秀幸¹、中嶋 健登¹、〇徳田 豊¹、中村 健二²、加藤 哲弥²、片山 雅之² (1.愛知工大、2.（株）デンソー)

キーワード：DLTS、TFT

有機TFTのトラップ密度の広範囲のエネルギー分布を、伝達特性とソースードレイン短絡MOS構造に対する一定温度電流DLTSを用い、室温測定より求める方法について検討した。用いた試料は、有機半導体としてC10-DNTTから成るトップコンタクトボトムゲート型TFTである。バンド端近傍から0.3 eVと0.55から0.70 eVでのトラップ密度のエネルギー分布が得られた。未評価のエネルギー範囲0.3 eVから0.55 eV についての評価も試みている。