2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

合同セッションK » 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[19p-P12-1~27] 21.1 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2016年3月19日(土) 16:00 〜 18:00 P12 (屋内運動場)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-1] 触媒反応生成高エネルギーH2Oビームの運動エネルギー評価

安井 寛治1、寺口 祐介1、田島 諒一1、玉山 泰宏1 (1.長岡技科大)

キーワード:触媒反応、ラバールノズル、Siメンブレン圧力センサー

白金ナノ粒子表面で水素と酸素の燃焼反応により生成した高エネルギーH2Oと有機金属ガスを気相中で反応させ生成したZnOプリカーサを基板に供給するCVD法を考案しa 面サファイア基板上にエピタキシャル膜の成長を試みた結果, 半導体特性を有する高品質なZnO薄膜を得た. 今回高エネルギーH2Oビームを形成するラバールノズルの構造の最適化を目指してラバールノズルから噴出するH2Oビームのエネルギー状態をMEMS圧力センサーによって評価を試みたので報告する.