2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

合同セッションK » 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[19p-P12-1~27] 21.1 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2016年3月19日(土) 16:00 〜 18:00 P12 (屋内運動場)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-2] 電気化学堆積した低温バッファ層がZnOナノロッド形状に与える効果

木田 正紀1、鈴木 聡1 (1.木更津高専)

キーワード:ZnO、ナノロッド、低温バッファ層

我々は,光デバイスや色素増感太陽電池への応用を目的に,ZnOの電気化学堆積を行っている。今回は電気化学堆積した低温バッファ層の上に,定電流法によりZnOの成長を行うことで100nm以下のZnOナノロッドが得られた。