[19p-P12-1~27] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[19p-P12-2] 電気化学堆積した低温バッファ層がZnOナノロッド形状に与える効果

〇木田 正紀¹、鈴木 聡¹ (1.木更津高専)

キーワード：ZnO、ナノロッド、低温バッファ層

我々は，光デバイスや色素増感太陽電池への応用を目的に，ZnOの電気化学堆積を行っている。今回は電気化学堆積した低温バッファ層の上に，定電流法によりZnOの成長を行うことで100nm以下のZnOナノロッドが得られた。