[19p-P12-1~27] 21.1 Joint Session K

[19p-P12-21] Fabrication and characterization of zinc-oxide based thin film transistors
by a sol-gel method

〇Takafumi Daito¹, Yuki Omizo¹, Masatoshi Koyama¹, Toshihiko Maemoto¹, Shigehiko Sasa¹ (1.Osaka Inst. Tech.)

Keywords:ZnO,TFT,Sol-gel method

TFT用材料に，酸化物半導体が注目されている．TFTの作製には，スパッタ法などの真空プロセスが主に使われている．そこで非真空プロセスであるゾルゲル法を用い，より簡便にTFTを作製するプロセスを検討している．これまで，チャネル層材料は酸化亜鉛（ZnO）を主に使用し，焼結温度や中間乾燥温度などがTFTに与える影響について報告を行ってきた．今回はチャネル層にInおよびGaを添加して，ZnO-TFTとIGZO-TFTの特性評価報告を行う．