一般セッション(ポスター講演)

[19p-P12-1~27] 21.1 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2016年3月19日(土) 16:00 〜 18:00 P12 (屋内運動場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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16:00 〜 18:00

[19p-P12-1] 触媒反応生成高エネルギーH₂Oビームの運動エネルギー評価

〇安井寛治¹、寺口祐介¹、田島諒一¹、玉山泰宏¹ (1.長岡技科大)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-2] 電気化学堆積した低温バッファ層がZnOナノロッド形状に与える効果

〇木田正紀¹、鈴木聡¹ (1.木更津高専)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-3] 触媒反応支援CVD法による非極性ZnO結晶膜の成長

〇田島諒一¹、叶内慎吾¹、玉山泰宏¹、安井寛治¹ (1.長岡技術科学大学)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-4] UHVスパッタ法により成長したZnO単結晶層のアニール処理 (Ⅰ)

〇羽鳥翼¹、佐久間大樹¹、松久健司¹、渡邊和樹¹、水野愛¹、安藤毅¹、篠田宏之¹、六倉信喜¹ (1.東京電機大工)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-5] UHVスパッタ法により成長したZnO単結晶層のアニール処理(Ⅱ)

〇水野愛¹、安藤毅¹、篠田宏之¹、六倉信喜¹ (1.東京電機大工)

16:00 〜 18:00

△ [19p-P12-6] MOCVD法によるZnMgO:N/ZnOシングルヘテロ接合を採用したUV-LED

〇柳瀬将吾¹、錦織大和¹、藤田恭久¹ (1.島根大院総理)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-7] (0001)a-Al₂O₃基板上および(0001)GaNテンプレート上へのIn₂O₃膜のミストCVD成長

〇小林拓也¹、田沼圭亮¹、山口智広¹、尾沼猛儀¹、本田徹¹ (1.工学院大)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-8] オゾンを用いたβ-Ga₂O₃のMBE成長

〇中田義昭¹、佐々木公平²、倉又朗人²、山腰茂伸²、東脇正高¹ (1.情通機構、2.タムラ製作所)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-9] β-Ga₂O₃(010)基板上へのGa照射

〇中田義昭¹、佐々木公平²、倉又朗人²、山腰茂伸²、東脇正高¹ (1.情通機構、2.タムラ製作所)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-10] 塗布熱分解法で成膜したCa₃Co₂O₆膜の結晶成長におよぼす焼成条件の影響

〇田橋正浩¹、高橋誠¹、後藤英雄¹ (1.中部大学)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-11] Fe支援CBD法によるCu₂O薄膜の成長

〇寺迫智昭¹、大森裕也²、佐伯拓哉²、門田直己²、宮田晃² (1.愛媛大院理工、2.愛媛大工)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-12] 分子プレカーサー法を用いたIn-Ga-Mg-O薄膜製作検討

〇高橋勇貴¹、後藤良介¹、安野泰平¹、尾沼猛儀¹、永井裕己¹、山口智広¹、佐藤光史¹、本田徹¹ (1.工学院大工)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-13] RF-MS法で作製したZnO系透明導電膜における結晶性の基板位置依存性

〇正力幹也¹、杉浦怜¹、舩木修平¹、山田容士¹ (1.島大総理工)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-14] 短時間アニールによるZnO系導電膜の低抵抗化

〇(M1)杉浦怜¹、宮尾信行¹、正力幹也¹、舩木修平¹、山田容士¹ (1.島大総理工)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-15] ミストデポジション法ITO透明導電膜を用いたタッチセンサの試作

中積誠¹、〇西康孝¹、堀正和¹、林田洋祐¹、鬼頭義昭¹、奈良圭¹、加藤正紀¹ (1.（株）ニコン)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-16] 二層InSiO薄膜トランジスタの水素還元とオゾン酸化効果

〇木津たきお¹、相川慎也²、生田目俊秀¹、塚越一仁¹ (1.物材機構、2.工学院大)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-17] 溶液法により作製したAl添加ZnO薄膜トランジスタの焼結雰囲気によるトランジスタ特性への影響

〇佐々木祥太¹、木村史哉¹、孫屹¹、小山政俊¹、前元利彦¹ (1.阪工大ナノ材研)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-18] ゲート絶縁膜厚がZnO-SnO₂薄膜を用いたTFT特性に与える影響

〇佐藤和郎¹、田中剛¹、山田義春¹、村上修一¹、筧芳治¹、櫻井芳昭¹ (1.大阪府立産技研)

16:00 〜 18:00

△ [19p-P12-19] High-Kゲート絶縁膜によるTFTの高性能化と低消費ReRAMの搭載

〇(D)鍋坂恭平¹、山内祥光¹、門圭佑¹、藤井茉美¹、石河泰明¹、浦岡行治¹ (1.奈良先端大物質創成科)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-20] 1 mmチャネル長酸化物IGZO自己整合縦形トランジスタ

〇栗原史昂¹、中茂樹¹、岡田裕之¹ (1.富山大学)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-21] ゾルゲル法を用いたZnO系TFTの作製と評価

〇大東隆文¹、大溝悠樹¹、小山政俊¹、前元利彦¹、佐々誠彦¹ (1.大阪工大ナノ材研)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-22] ZnO単結晶の紫外線応答特性に及ぼす過酸化水素処理効果

〇柏葉安宏¹、安藤昌広¹、佐久間実緒¹、川崎浩司¹、今井裕司¹、阿部貴美²、中川玲²、新倉郁生²、柏葉安兵衛²、長田洋² (1.仙台高専、2.岩手大工)

16:00 〜 18:00

△ [19p-P12-23] スパッタ堆積ZnO薄膜のキャリア生成とO1sスペクトルとの関係

〇(D)張捷生¹、佐藤伸吾¹、大村泰久¹、斉藤正¹ (1.関西大)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-24] β-Ga₂O₃ナノワイヤーの形状制御性とフォトルミネッセンス特性

〇寺迫智昭¹、河﨑雄樹²、矢木正和³ (1.愛媛大院理工、2.愛媛大工、3.香川高専)

16:00 〜 18:00

△ [19p-P12-25] 分子プレカーサー法で製作した銀分散ZnO薄膜の光学的特性

〇高大地¹、尾沼猛儀¹、澁川貴史¹、永井裕己¹、山口智広¹、 Ja-Soon Jang²、佐藤光史¹、本田徹¹ (1.工学院大、2.嶺南大)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-26] 水素プラズマを照射した酸化亜鉛の特性

〇安部功二¹、秦弘樹¹ (1.名古屋工業大)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-27] 硬X線光電子分光法を用いたa-IGZO/SiO_x保護膜界面の電子状態評価

〇森田晋也¹、越智元隆¹、林和志¹、釘宮敏洋¹ (1.神戸製鋼所)

一般セッション(口頭講演)

[20a-S222-1~11] 21.1 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2016年3月20日(日) 09:00 〜 12:00 S222 (南2号館)

阿部友紀(鳥取大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

△ [20a-S222-1] 飛来粒子定量分析による反応性プラズマ蒸着Ga添加ZnO薄膜の成膜因子の解明

〇北見尚久¹、酒見俊之¹、野本淳一²、牧野久雄^2,3、青木康¹、加藤隆典¹、山本哲也² (1.住友重機械、2.高知工科大総研、3.高知工科大システム工)

09:15 〜 09:30

[20a-S222-2] ガリウム添加酸化亜鉛導電膜を感材とする水素センサーにおける応答速度向上のための水素ガス輸送制御

〇山本哲也¹、野本淳一¹、牧野久雄¹、岸本誠一² (1.高知工科大総研、2.高知高専)

09:30 〜 09:45

[20a-S222-3] V添加によるZnO中のキャリア生成メカニズムに関する検討

〇川島知之¹、安倍大¹、鷲尾勝由¹ (1.東北大院工)

09:45 〜 10:00

[20a-S222-4] DCスパッタ法で成膜したTi添加ZnO透明導電膜の熱安定性

北尾寿貴¹、〇牧野久雄^1,2、野本淳一²、山本哲也²、中田邦彦³ (1.高知工科大シス工、2.高知工科大総研、3.住友化学)

10:00 〜 10:15

[20a-S222-5] 多結晶AZO透明導電膜のキャリア輸送に対する結晶粒界の影響(Ⅲ)

〇宇於崎涼介¹、渡辺恭輔¹、池永訓昭¹、宮田俊弘¹、南内嗣¹ (1.金沢工大　OEDS R&D センター)

10:15 〜 10:30

[20a-S222-6] 直流マグネトロンスパッタ多結晶 Al 添加 ZnO 透明導電膜の配向秩序特性及びキャリア輸送特性に与える Al 添加量の影響

〇野本淳一¹、牧野久雄^1,2、山本哲也¹ (1.高知工科大総研、2.高知工科大システム工)

10:45 〜 11:00

△ [20a-S222-7] プラズマ発光制御を用いた反応性スパッタ法によるITOおよびIZO透明導電膜の成膜

〇宮崎裕介¹、丸山恵莉¹、賈軍軍¹、待永広宣²、宮崎司²、重里有三¹ (1.青学大理工、2.日東電工)

11:00 〜 11:15

[20a-S222-8] ミストデポジション法を用いたITOナノ微粒子透明導電膜の開発

〇中積誠¹、西康孝¹、奈良圭¹、岩堀恒一郎¹ (1.ニコン)

11:15 〜 11:30

[20a-S222-9] Dyを添加した酸化物ナノ粒子の作製と磁気特性

〇(M1)西岡正治¹、柏木行康²、斉藤大志²、中許昌美²、周逸凱³、劉宝³、崔行恒³、太田椋也¹、藤元章¹、原田義之¹、神村共住¹ (1.大阪工大、2.大阪市工研、3.上海師範大)

11:30 〜 11:45

[20a-S222-10] AMZO/Ag(Al)/AMZO-DMDにおける薄膜Ag層のAlドープ効果

〇五十嵐佳苗¹、杉本悠紀子¹、菊池昭彦^1,2 (1.上智大・理工、2.上智大学ナノテクセンター)

11:45 〜 12:00

[20a-S222-11] ミストCVD法による菱面体晶ITOのヘテロエピタキシャル成長

〇西中浩之¹、吉本昌広¹ (1.京工繊大)

一般セッション(口頭講演)

[20p-S222-1~17] 21.1 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2016年3月20日(日) 13:00 〜 17:30 S222 (南2号館)

大橋直樹(物材機構)、牧野久雄(高知工科大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:00 〜 13:15

[20p-S222-1] 【講演奨励賞受賞記念講演】グラフォエピタキシャルZnO薄膜におけるホール移動度の向上

〇工藤徹也¹、大島孝仁¹、吉松公平¹、大友明^1,2 (1.東工大院理工、2.元素戦略)

13:15 〜 13:30

△ [20p-S222-2] RFマグネトロンスパッタリング法で作製した(ZnO)_x(InN)_1-x膜の表面モフォロジー制御

〇松島宏一¹、井手智章¹、山下大輔¹、徐鉉雄¹、古閑一憲¹、白谷正治¹、板垣奈穂¹ (1.九大)

13:30 〜 13:45

[20p-S222-3] ミストCVD法により形成したバッファ層上のZnO薄膜の結晶性

〇田之上博信¹、和田祥平¹、山下達也¹、永岡昭二^3,4、谷田部然治^1,2、中村有水^1,4 (1.熊本大学院、2.熊大先導機構、3.熊本産技、4.熊本有機)

13:45 〜 14:00

[20p-S222-4] c 面サファイア基板上V添加ZnO薄膜の初期成長初期過程

〇兼松知弘¹、千葉博²、川島知之²、鷲尾勝由² (1.東北大工、2.東北大院工)

14:00 〜 14:15

[20p-S222-5] 熱処理による固相成長を用いた単結晶化に向けたZnO積層膜の構成に関する考察

〇碓井将也¹、渡部晃弘²、千葉博²、川島知之²、鷲尾勝由² (1.東北大工、2.東北大院工)

14:15 〜 14:30

[20p-S222-6] c面サファイア上アモルファスZnO/V添加ZnO積層膜の熱処理による固相成長

〇渡部晃弘¹、碓井将也²、川島知之¹、鷲尾勝由¹ (1.東北大院工、2.東北大工)

14:30 〜 14:45

[20p-S222-7] バナジウムと窒素を共添加したZnO 薄膜成長に関する検討

〇鈴木智也¹、川島知之¹、鷲尾勝由¹ (1.東北大院工)

14:45 〜 15:00

△ [20p-S222-8] 常圧非平衡プラズマを用いて作製した高抵抗ZnO薄膜の電子状態

〇野瀬幸則¹、木口拓也¹、岩崎裕徳¹、吉村武¹、芦田淳¹、上原剛²、藤村紀文¹ (1.阪府大院工、2.積水化学)

15:00 〜 15:15

[20p-S222-9] 水素を添加したZnO単結晶の欠陥と電気特性

〇大澤健男¹、坂口勲¹、上田茂典¹、大橋直樹¹ (1.物材機構)

15:30 〜 15:45

[20p-S222-10] 低貫通転位密度Zn極性ZnOホモエピタキシャル薄膜への3d遷移金属添加によるキャリア寿命制御

〇秩父重英¹、小島一信¹、山崎芳樹¹、古澤健太郎¹、上殿明良² (1.東北大多元研、2.筑波大物理工)

15:45 〜 16:00

[20p-S222-11] Gaドープ酸化亜鉛ランダムレーザーの発振特性

〇(B)高橋龍平¹、中村俊博¹、山本泰生²、安達定雄¹ (1.群馬大院理工、2.ハクスイテック)

16:00 〜 16:15

△ [20p-S222-12] 燐ドープZnOマイクロ結晶球の構造および発光特性評価

〇藤原優輝¹、池渕達也¹、植山健史¹、田中稔伸¹、永嵜史明¹、東畠三洋¹、中村大輔¹、岡田龍雄¹ (1.九大シス情)

16:15 〜 16:30

[20p-S222-13] Pt/Mg_xZn_1-xO/n⁺-ZnOショットキーフォトダイオードにおける電流感度の改善

〇遠藤治之¹、高橋強¹、柏葉安兵衛² (1.岩手県工技センタ、2.岩手大)

16:30 〜 16:45

[20p-S222-14] 常圧MOCVD法によるCuO薄膜の作製 (2)

〇藤原一樹¹、寺村瑞樹¹、田口健太朗¹、谷口凱¹、酒井駿吾¹、石川博康^1,2 (1.芝浦工大、2.SIT GI研究センター)

16:45 〜 17:00

[20p-S222-15] 耐熱性TNO透明導電膜の導入による色素増感太陽電池の高効率化

遠藤剛志¹、小野理恵子¹、岩城諒¹、竹村秀一郎¹、〇奥谷昌之^1,2、中尾祥一郎³、岡崎壮平³、坂井延寿³、山田直臣³、一杉太郎⁴、長谷川哲也⁵ (1.静岡大院工、2.静岡大グリーン研、3.神奈川技術アカデミー、4.東北大WPI-AIMR、5.東大院理)

17:00 〜 17:15

[20p-S222-16] ZrO₂微粒子光散乱層を導入による色素増感太陽電池の高効率化

小野理恵子¹、遠藤剛志¹、大塚玲奈¹、〇奥谷昌之^1,2 (1.静岡大院工、2.静岡大グリーン研)

17:15 〜 17:30

[20p-S222-17] マイクロ波加熱法による多孔質TiO₂層の作製と色素増感太陽電池への応用

青山貴裕¹、大橋拓也¹、〇奥谷昌之^1,2 (1.静岡大院工、2.静岡大グリーン研)

一般セッション(口頭講演)

[21a-S222-1~12] 21.1 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2016年3月21日(月) 09:00 〜 12:15 S222 (南2号館)

大島孝仁(佐賀大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[21a-S222-1] β-Ga₂O₃基板の加工変質層の評価

〇渡辺信也¹、輿公祥¹、山岡優¹、増井建和¹、倉又朗人¹、山腰茂伸¹ (1.タムラ製作所)

09:15 〜 09:30

[21a-S222-2] β-Ga2O3成長結晶の(010)における溝型欠陥の観察

〇(PC)花田賢志¹、森林朋也¹、輿公祥²、佐々木公平²、倉又朗人²、上田修³、嘉数誠¹ (1.佐賀大、2.タムラ製作所、3.金沢工大)

09:30 〜 09:45

[21a-S222-3] β-Ga2O3(010)単結晶のエッチピットの観察

〇(PC)花田賢志¹、森林朋也¹、輿公祥²、佐々木公平²、倉又朗人²、上田修³、嘉数誠¹ (1.佐賀大、2.タムラ製作所、3.金沢工大)

09:45 〜 10:00

△ [21a-S222-4] 高品質α-Ga₂O₃に向けたα-(Al_xGa_1-x)₂O₃超格子バッファ層の作製と結晶構造評価

〇神野莉衣奈¹、内田貴之¹、金子健太郎¹、藤田静雄¹ (1.京大院工)

10:00 〜 10:15

△ [21a-S222-5] α-(Al_1-xGa_x)₂O₃薄膜の電子状態解析およびα-(Al_1-xGa_x)₂O₃/ α-Ga₂O₃のバンドアライメント解析

〇内田貴之¹、神野莉衣奈¹、竹本柊²、金子健太郎¹、藤田静雄¹ (1.京大院工、2.京大工)

10:15 〜 10:30

[21a-S222-6] β-Ga₂O₃結晶における励起子-LOフォノン相互作用

〇尾沼猛儀^1,2、齋藤伸吾²、佐々木公平^3,2、後藤健³、増井建和³、山口智広¹、本田徹¹、倉又朗人³、東脇正高² (1.工学院大、2.情通機構、3.タムラ製作所)

10:45 〜 11:00

[21a-S222-7] NiO上に形成したβ-Ga₂O₃薄膜の結晶配向とそのヘテロ接合

〇中込真二¹、久保匠平¹、國分義弘¹ (1.石巻専修大理工)

11:00 〜 11:15

[21a-S222-8] beta-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオード素子特性の分布

〇嘉数誠¹、原田和也¹、花田賢志¹、大石敏之¹ (1.佐賀大院工)

11:15 〜 11:30

[21a-S222-9] HVPE法によるIn₂O₃成長の検討

〇沼田至優¹、富樫理恵¹、後藤健²、村上尚¹、倉又朗人²、山腰茂伸²、熊谷義直¹ (1.東京農工大院工、2.タムラ製作所)

11:30 〜 11:45

[21a-S222-10] MBE成長した単結晶WO₃薄膜のエレクトロクロミック特性

〇(M1)村山喬之¹、桒形航行¹、原田義之¹、小池一歩¹、佐々誠彦¹、矢野満明¹、稲葉克彦²、小林信太郎² (1.大阪工大ナノ材研センタ、2.リガクX線研)

11:45 〜 12:00

△ [21a-S222-11] 薄膜トランジスタ構造を有するアモルファス酸化物エレクトロクロミック素子

〇小野里尚記¹、片瀬貴義²、太田裕道² (1.北大院情報科学、2.北大電子研)

12:00 〜 12:15

[21a-S222-12] β-Ga₂O₃基板上へのNiO薄膜の成長とヘテロ接合ダイオードへの応用

〇國分義弘¹、久保匠平¹、中込真二¹ (1.石巻専修大理工)

一般セッション(口頭講演)

[22a-S222-1~8] 21.1 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2016年3月22日(火) 09:30 〜 11:30 S222 (南2号館)

石河泰明(奈良先端大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 09:45

[22a-S222-1] 非晶質酸化物半導体ITZO薄膜のNBITS不安定性評価

〇田中聡¹、清水耕作¹ (1.日大生産工)

09:45 〜 10:00

△ [22a-S222-2] 酸化物薄膜トランジスタへ向けたCドープしたIn-W-Oチャネル材料の特性

〇(M2)栗島一徳^1,2、生田目俊秀²、三苫伸彦²、木津たきお²、塚越一仁²、澤田朋実²、大井暁彦²、山本逸平^3,2、大石知司³、知京豊裕²、小椋厚志¹ (1.明治大、2.物材機構 WPI-MANA、3.芝浦工大)

10:00 〜 10:15

△ [22a-S222-3] a-IGZO薄膜の後焼成に伴う構造緩和と結晶化

〇須古彩香¹、賈軍軍¹、中村新一¹、岡島敏浩²、重里有三¹ (1.青山学院大、2.九州シンクロトロン光研究センター)

10:15 〜 10:30

[22a-S222-4] IGZO結晶における原子配置と酸素欠損の関係

〇高橋正弘¹、中山智則¹、菊地彫¹、中島基¹、山﨑舜平¹ (1.半エネ研)

10:30 〜 10:45

[22a-S222-5] IGZOの結晶構造及びCAAC-IGZO物性の組成比依存性

〇山内諒¹、太田将志¹、山田良則¹、石黒佳美¹、山﨑舜平¹ (1.半エネ研)

10:45 〜 11:00

[22a-S222-6] CAAC-IGZO薄膜の偏光XANES測定

〇石黒佳美¹、黒澤陽一¹、菊地彫¹、高橋正弘¹、中山智則¹、津吹将志¹、山﨑舜平¹ (1.半エネ研)

11:00 〜 11:15

△ [22a-S222-7] 超ワイドギャップアモルファス半導体a-Ga₂O_xの実現とGa-Zn-O系のバンドアライメント

〇金正煥¹、関谷拓実¹、井手啓介¹、平松秀典¹、細野秀雄¹、神谷利夫¹ (1.東工大応セラ研)

11:15 〜 11:30

[22a-S222-8] 【注目講演】アモルファス酸化物半導体をホストとする蛍光体薄膜の室温作製

〇神谷利夫^1,2、 Kim Junghwan¹、三代川範彦¹、井手啓介¹、戸田喜丈²、平松秀典^1,2、細野秀雄^1,2 (1.東工大応セラ研、2.東工大元素センター)

一般セッション(口頭講演)

[22p-S222-1~9] 21.1 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2016年3月22日(火) 12:30 〜 14:45 S222 (南2号館)

神谷利夫(東工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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12:30 〜 12:45

[22p-S222-1] IGZO TFT特性における不純物の影響

〇坂本純一¹、武井応樹¹、小林大士¹、清田淳也¹、齋藤一也¹ (1.株式会社アルバック)

12:45 〜 13:00

△ [22p-S222-2] 低電流動作非晶質InGaZnO抵抗変化メモリに関する研究

〇門圭佑¹、山内祥光¹、鍋坂恭平¹、藤井茉美¹、 Juan Paolo Bermundo¹、石河泰明¹、浦岡行治¹ (1.奈良先端大)

13:00 〜 13:15

[22p-S222-3] 間欠駆動によるa-InGaZnO TFT pHセンサのドリフト制御

〇岩松新之輔¹、竹知和重²、阿部泰¹、今野俊介¹、矢作徹¹、村上穣¹、田邉浩²、加藤睦人¹ (1.山形県工技セ、2.NLTテクノロジー)

13:15 〜 13:30

[22p-S222-4] 高感度a-InGaZnO TFT pHセンサのVgs応答特性

〇竹知和重¹、田邉浩¹、岩松新之輔²、今野俊介²、矢作徹²、阿部泰²、加藤睦人² (1.NLTテクノロジー、2.山形県工技セ)

13:30 〜 13:45

[22p-S222-5] a-InGaZnO TFTの光誘起トップゲート効果

〇竹知和重¹、田邉浩¹ (1.NLTテクノロジー)

13:45 〜 14:00

△ [22p-S222-6] 塗布型酸化物TFTにおける水素プラズマの効果

〇宮川幹司¹、中田充¹、辻博史¹、藤崎好英¹、山本敏裕¹ (1.NHK技研)

14:00 〜 14:15

△ [22p-S222-7] 溶液法で作製したIGZO薄膜のUV照射による不活性化と熱による回復

〇(B)落合祐輔¹、陳東京¹、森本貴明¹、福田伸子³、大木義路^1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研、3.産総研 FLEC)

14:15 〜 14:30

△ [22p-S222-8] 溶液法で作製したアモルファスIGZO薄膜の伝達特性に与えるイオン注入とアニールの効果

〇(M2)陳東京¹、森本貴明¹、福田伸子²、大木義路^1,3 (1.早大先進理工、2.産総研FLEC、3.早大材研)

14:30 〜 14:45

[22p-S222-9] 水系塗布型IGZO-TFTにおける塗布型有機ゲート絶縁膜の適用

〇中田充¹、福田伸子²、辻博史¹、宮川幹司¹、藤崎好英¹、山本敏裕¹ (1.NHK技研、2.産総研)

セッション一覧

合同セッションＫ » 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[19p-P12-1~27] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [19p-P12-6] MOCVD法によるZnMgO:N/ZnOシングルヘテロ接合を採用したUV-LED

△ [19p-P12-19] High-Kゲート絶縁膜によるTFTの高性能化と低消費ReRAMの搭載

△ [19p-P12-23] スパッタ堆積ZnO薄膜のキャリア生成とO1sスペクトルとの関係

△ [19p-P12-25] 分子プレカーサー法で製作した銀分散ZnO薄膜の光学的特性

[20a-S222-1~11] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [20a-S222-1] 飛来粒子定量分析による反応性プラズマ蒸着Ga添加ZnO薄膜の成膜因子の解明

△ [20a-S222-7] プラズマ発光制御を用いた反応性スパッタ法によるITOおよびIZO透明導電膜の成膜

[20p-S222-1~17] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [20p-S222-2] RFマグネトロンスパッタリング法で作製した(ZnO)x(InN)1-x膜の表面モフォロジー制御

△ [20p-S222-8] 常圧非平衡プラズマを用いて作製した高抵抗ZnO薄膜の電子状態

△ [20p-S222-12] 燐ドープZnOマイクロ結晶球の構造および発光特性評価

[21a-S222-1~12] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [21a-S222-4] 高品質α-Ga2O3に向けたα-(AlxGa1-x)2O3超格子バッファ層の作製と結晶構造評価

△ [21a-S222-5] α-(Al1-xGax)2O3薄膜の電子状態解析およびα-(Al1-xGax)2O3/ α-Ga2O3のバンドアライメント解析

△ [21a-S222-11] 薄膜トランジスタ構造を有するアモルファス酸化物エレクトロクロミック素子

[22a-S222-1~8] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [22a-S222-2] 酸化物薄膜トランジスタへ向けたCドープしたIn-W-Oチャネル材料の特性

△ [22a-S222-3] a-IGZO薄膜の後焼成に伴う構造緩和と結晶化

△ [22a-S222-7] 超ワイドギャップアモルファス半導体a-Ga2Oxの実現とGa-Zn-O系のバンドアライメント

[22p-S222-1~9] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [22p-S222-2] 低電流動作非晶質InGaZnO抵抗変化メモリに関する研究

△ [22p-S222-6] 塗布型酸化物TFTにおける水素プラズマの効果

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△ [21a-S222-5] α-(Al_1-xGa_x)₂O₃薄膜の電子状態解析およびα-(Al_1-xGa_x)₂O₃/ α-Ga₂O₃のバンドアライメント解析

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