[19p-P12-1~27] 21.1 Joint Session K

[19p-P12-16] Effect of Hydrogen and Oxygen annealing in Double-layer InSiO Thin-film Transistors

〇Takio Kizu¹, Shinya Aikawa², Toshihide Nabatame¹, Kazuhito Tsukagoshi¹ (1.NIMS, 2.Kogakuin Univ.)

Keywords:Oxide semiconductor,Thin-film transistor,Hydrogen anneal

酸素結合解離エネルギーの高い材料を酸化インジウムに微量添加することで，安定性や移動度の高いアモルファス酸化薄膜トランジスタの研究を行っている．本発表では，半導体的InSiO膜と絶縁体的InSiO膜との二層構造TFTにおける水素還元効果と酸化雰囲気によるリカバリー特性について報告し，安定したInSiO絶縁膜によるキャップ効果及び二層InSiO膜中における水素と酸素の挙動について議論する．