[22a-S222-1~8] 21.1 Joint Session K

[22a-S222-6] Polarized X-ray absorption near-edge structure of CAAC-IGZO thin films

〇Yoshimi Ishiguro¹, Yoichi Kurosawa¹, Erumu Kikuchi¹, Masahiro Takahashi¹, Tomonori Nakayama¹, Masashi Tsubuku¹, Shunpei Yamazaki¹ (1.SEL)

Keywords:IGZO,Oxide semiconductor,XANES

これまでに我々は構造異方性が明確に見られるCAAC-IGZOの様々な特性について報告している。本研究ではCAAC-IGZOの電子構造を調べるため、酸素のK吸収端での偏光XANES測定を行い、入射X線電場方向に対する基板の角度依存性を検討した。その結果、CAAC-IGZO薄膜において、XANESスペクトルに角度依存性が見られたことから、構造異方性に対応した電子構造の異方性の存在が示唆された。