2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

合同セッションK » 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[19p-P12-1~27] 21.1 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2016年3月19日(土) 16:00 〜 18:00 P12 (屋内運動場)

16:00 〜 18:00

[19p-P12-22] ZnO単結晶の紫外線応答特性に及ぼす過酸化水素処理効果

柏葉 安宏1、安藤 昌広1、佐久間 実緒1、川崎 浩司1、今井 裕司1、阿部 貴美2、中川 玲2、新倉 郁生2、柏葉 安兵衛2、長田 洋2 (1.仙台高専、2.岩手大工)

キーワード:酸化亜鉛、過酸化水素

H2O2処理がZnO単結晶の光応答速度に与える効果について述べる。水熱合成法で育成されたZnO単結晶c面基板のO面へ波長約360 nmのUV光を照射し光応答速度を測定した。H2O2処理前後の特性を比較した結果,H2O2処理前よりも処理後では光電流が減少し,応答速度が向上していた。その原因をエネルギーバンドモデルから説明する。