[19p-P12-1~27] 21.1 Joint Session K

[19p-P12-27] The Evaluation of Electronic State of Interface between a-IGZO and SiO_x Passivation Film Using Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy

〇SHINYA MORITA¹, MOTOTAKA OCHI¹, KAZUSHI HAYASHI¹, TOSHIHIRO KUGIMIYA¹ (1.KOBE STEEL, LTD.)

Keywords:Oxide Semiconductor,X-ray Photoelectron Spectroscopy,Interface State

アモルファス酸化物半導体IGZOとSiOx保護膜界面の電子状態とTFT特性の関係について調べた。a-IGZO TFTはSiOx保護膜の製膜条件に強く影響し、SiH4/N2Oガス流量比の増加にともないしきい値電圧の負方向へのシフトがみられた。硬X線光電子分光法を用いた測定から、a-IGZO/SiOx保護膜界面の電子状態変化がTFT特性に影響を与えていることがわかった。