[19p-P12-1~27] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[19p-P12-27] 硬X線光電子分光法を用いたa-IGZO/SiO_x保護膜界面の電子状態評価

〇森田 晋也¹、越智 元隆¹、林 和志¹、釘宮 敏洋¹ (1.神戸製鋼所)

キーワード：酸化物半導体、X線光電子分光、界面準位

アモルファス酸化物半導体IGZOとSiOx保護膜界面の電子状態とTFT特性の関係について調べた。a-IGZO TFTはSiOx保護膜の製膜条件に強く影響し、SiH4/N2Oガス流量比の増加にともないしきい値電圧の負方向へのシフトがみられた。硬X線光電子分光法を用いた測定から、a-IGZO/SiOx保護膜界面の電子状態変化がTFT特性に影響を与えていることがわかった。