[19p-P12-1~27] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[19p-P12-3] 触媒反応支援CVD法による非極性ZnO結晶膜の成長

〇田島 諒一¹、叶内 慎吾¹、玉山 泰宏¹、安井 寛治¹ (1.長岡技術科学大学)

キーワード：触媒反応、非極性ZnO

触媒反応により生成した高エネルギーH₂Oを用いたCVD法により、r面サファイア基板上に非極性ZnO膜の成長を試みた。作製した試料はAFM、X線回折、Hall効果測定、PL測定により評価した。ZnO膜のAFM像からa面由来のストライプ構造が観測された。X線回折では(11-20)面のピークが支配的となり、a軸成長していることが窺われた。しかし移動度は最大で24.6 cm²/Vsと小さな値となった。