[19p-P2-1~5] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[19p-P2-4] STI型ULSI素子の転位蓄積に伴う電気特性変化(3)

〇米窪 駿¹、嵐 祥吾²、佐藤 満弘²、山口 憲³、丸泉 琢也¹ (1.東京都市大工、2.北見工大工、3.アドバンスソフト)

キーワード：転位