2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[19p-P3-1~7] 13.3 絶縁膜技術

2016年3月19日(土) 13:30 〜 15:30 P3 (屋内運動場)

13:30 〜 15:30

[19p-P3-1] HfO2/GeO2/Geスタック構造におけるゲルマニウムと酸素の熱拡散に関する研究

小川 慎吾1,2、淺原 亮平2、箕浦 佑也2、迫 秀樹1、川崎 直彦1、山田 一子1、宮本 隆志1、細井 卓治2、志村 考功2、渡部 平司2 (1.TRC、2.阪大院工)

キーワード:ゲルマニウム、酸化ハフニウム、原子拡散

HfO2/GeO2/Geスタック構造におけるGeと酸素原子の拡散をXPSと酸素同位体(18O)を用いたSIMSにより詳細に調べた。界面反応は200℃の比較的低温のアニールでも起き、アニール温度が高くなるほど拡散量は増加した。HfO2膜中に拡散したGeと酸素の熱拡散は独立していることが明らかになった。