[19p-P3-1~7] 13.3 絶縁膜技術

[19p-P3-1] HfO₂/GeO₂/Geスタック構造におけるゲルマニウムと酸素の熱拡散に関する研究

〇小川 慎吾^1,2、淺原 亮平²、箕浦 佑也²、迫 秀樹¹、川崎 直彦¹、山田 一子¹、宮本 隆志¹、細井 卓治²、志村 考功²、渡部 平司² (1.TRC、2.阪大院工)

キーワード：ゲルマニウム、酸化ハフニウム、原子拡散

HfO₂/GeO₂/Geスタック構造におけるGeと酸素原子の拡散をXPSと酸素同位体（¹⁸O）を用いたSIMSにより詳細に調べた。界面反応は200℃の比較的低温のアニールでも起き、アニール温度が高くなるほど拡散量は増加した。HfO₂膜中に拡散したGeと酸素の熱拡散は独立していることが明らかになった。