2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[19p-P3-1~7] 13.3 絶縁膜技術

2016年3月19日(土) 13:30 〜 15:30 P3 (屋内運動場)

13:30 〜 15:30

[19p-P3-2] Radical-enhanced ALD法によるGe-MIS構造の欠陥評価(2);熱処理効果

成田 英史1、山田 大地2、福田 幸夫2、岡本 浩1 (1.弘前大、2.諏訪東京理科大)

キーワード:Ge-MIS、界面準位