[19p-P3-1~7] 13.3 絶縁膜技術

[19p-P3-2] Radical-enhanced ALD法によるGe-MIS構造の欠陥評価(2);熱処理効果

〇成田 英史¹、山田 大地²、福田 幸夫²、岡本 浩¹ (1.弘前大、2.諏訪東京理科大)

キーワード：Ge-MIS、界面準位